型号 | SI5482DU-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
SI5482DU-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI5482DU-T1-E3 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 15 毫欧 @ 7.4A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 51nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1610pF @ 15V |
功率 - 最大 | 31W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? CHIPFET? 单 |
供应商设备封装 | PowerPAK? ChipFET 单通道 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SI5482DU-T1-E3TR |